Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores – DISSE
   
 

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Missão

O tema do Instituto engloba o estudo e o desenvolvimento de nanoestruturas semicondutoras para a confecção de dispositivos optoeletrônicos com ênfase em fotodetectores de infravermelho médio e dispositivos inéditos baseados em efeitos puramente quânticos ainda não explorados.

Neste Instituto tanto o desenvolvimento de tecnologias inovadoras como a ciência básica deverão ser contemplados por meio de pesquisa de vanguarda competitiva com os padrões internacionais.

As quatro missões serão naturalmente seguidas pela equipe do Instituto, visando sempre a qualidade dos resultados:

- Pesquisa

- Formação de recursos humanos

- Transferência de conhecimentos para a sociedade

- Transferência de conhecimentos para o setor empresarial e para o governo.

O Instituto terá duas frentes de atuação. A primeira diz respeito a obter o domínio da tecnologia de fotodetectores de infravermelho na faixa entre 2 e 20 mm baseados em pontos quânticos para várias aplicações. Esta frente de atuação compreende tanto um profundo conhecimento das propriedades fundamentais dessas estruturas, bem como a fabricação de protótipos para diversas aplicações.

Também estruturas inéditas de pontos quânticos, utilizando novos fenômenos físicos serão estudadas, visando dispositivos para o futuro como lasers de polaritons, fontes de fótons únicos para criptografia e transistor óptico baseado em microcavidades, dentre outros.

Em paralelo a essas duas frentes de atuação, grande esforço será feito na área de controle do crescimento epitaxial, etapa fundamental para o avanço em qualquer atividade de pesquisa e desenvolvimento em semicondutores. O centro de crescimento epitaxial por metalorganic vapor phase epitaxy no Rio de Janeiro deve ser consolidado como um centro de padrão internacional.

Sede

Laboratório de Semicondutores/CETUC/PUC-Rio

Endereço: Rua Marquês de São Vicente 225, Gávea, Rio de Janeiro, 22451-900.

Telefone: 21 3527 1155 ou 21 3527 1161
Fax: 21 3527 1951

Site: www.labsem.cetuc.puc-rio.br/nanodevicesinstitute.htm

Coordenação

Patrícia Lustoza de Souza
e-mail: plustoza@cetuc.puc-rio.br

Contatos

Patrícia Lustoza de Souza (plustoza@cetuc.puc-rio.br) responsável pela missão de pesquisa tecnológica

Paulo Sérgio Soares Guimarães (pssg@fisica.ufmg.br) responsável pela missão de pesquisa básica

Gustavo Soares Vieira (gvieira@ieav.br) responsável pela missão de  transferência do conhecimento para empresas e instituições governamentais

Nelson Studart  (studart@df.ufscar.br) responsável pela missão de transferência dos conhecimentos para a sociedade

Wagner Nunes Rodrigues (wagner@fisica.ufmg.br)    responsável pela missão de formação de recursos humanos

Equipe

PUC-Rio - Rio de Janeiro

Patrícia Lustoza de Souza       

Ivan Guillermo Solórzano

Marco Aurélio Pacheco

Marley Vellasco

André Vargas da Cruz

UFRJ - Rio de Janeiro

Maurício Pamplona Pires

UFMG - Minas Gerais

Paulo Sérgio Soares Guimarães       

Wagner Nunes Rodrigues                

Franklin Massami Matinaga

Davies William de Lima Monteiro

Frank Sill

IEAv - São Paulo

Gustavo Soares Vieira           

Angelo Passaro

Nancy Mieko Abe

Ruy Morgado de Castro

Fábio Dondeo Origo

Ademar Muraro Jr   

Antonio Carlos de Jesus Paes

Roberto Yui Tanaka

USP - São Paulo

Alain André Quivy                         

Euzi Conceição Fernandes da Silva

UFSCar - São Paulo

Nelson Studart 

Marcos Henrique Degani

Paulo Eduardo Fornasari Farinas

 Marcelo Zoéga Maialle

UFAM - Amazonas

Eduardo Adriano Cotta

UNIFAP - Amapá

Henrique Fonseca Filho

Robert Ronald Maguiña Zamora

 Wilson Ricardo Matos Rabelo

 Mapa

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 Fotos

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  Laboratório de Semicondutores (LabSem/CETUC/PUC-Rio) sede do INCT
     
  Dispositivos fabricados
     
  Sistema de crescimento epitaxial por metalorganic vapor phase epitaxy
     
  Medidas de transporte
     
  Medidas ópticas
     
  Sala limpa
     
  Caracterização dos dispositivos fabricados
     
  Campo próximo
     
  Espectrometria de transformada de Fourier
     
  Sistema de epitaxia por feixes moleculares (MBE) para arsenetos de Ga, In e Al
Laboratório de Novos Materiais Semicondutores da USP
     
  Dispositivos emissores de luz no infravermelho